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material presenta algunas aplicacio-
nes prácticas tales como dispositivos
termoeléctricos (Biswas, Zhao, & Ka-
natzidis, 2012), fotodetectores (Kons-
tantatos, Levina, Tang, & Sargent,
2008), interruptores ópticos (Xi, Hu,
Zhang, Zhang, & Wang, 2009), foto-
catálisis para remediación ambiental
(Cao, Xu, Lin, Luo, & Chen, 2012),
generación de hidrógeno usando
energía solar(Brahimi, Bessekhouad,
Bouguelia, & Trari, 2007), detector de
H
2
(Yao et al., 2008), detector de bio-
moléculas (Cademartiri
et al., 2009).
Además de sus múltiples aplicacio-
nes es importante señalar que pre-
senta menor impacto ambiental que
otros materiales como PbS, CdS,
HgS, que tienen aplicaciones simila-
res (Zumeta, Ortiz, Díaz, Trallero, &
Ruiz, 2014) .
SÍNTESIS Y CARACTERIZACIÓN DE COMPOSITOS
A BASE DE HALLOYSITA CON NANOESTRUCTURAS DE BISMUTO
Vega & Daza, 153–167
MATERIALES Y MÉTODOS
Materiales y Equipos
Los reactivos utilizados fueron nitrato
de bismuto pentahidratado
(Bi(NO
3
)
3
·5H
2
O, Sigma, 98 %), di-
metilsulfóxido (DMSO, J.T Baker),
azufre elemental (S, Sigma-Aldrich,
99,5 %), hidróxido de amonio
(NH
4
OH, J.T Baker, 28,3 % de NH
3
),
nanotubos de halloysita
(H
4
Al
2
O
9
Si
2
·2H
2
O, Sigma), acetona
(CH
3
COCH
3
, J.T Baker, 99,5 %) y
agua desionizada (resistividad 14
MΩ*cm). Todos los reactivos fueron
utilizados sin purificación adicional.
Las imágenes TEM y HR-TEM se ob-
tuvieron en un microscopio electró-
nico JEOL-2010 con voltaje de 200
kV. El procesamiento de imágenes se
realizó utilizando software DigitalMi-
crograph (GATAN versión 3.7.0). Las
imágenes de microscopia electrónica
de barrido se obtuvieron en JEOL59
00LV usando voltaje de 20 kV. Los es-
pectros Raman se obtuvieron en EZ-
Raman-N (Enwave Optronics), equi pa-
do con un láser de 532 nm. Los pa-
trones de difracción de rayos X (DRX)
se midieron con el difractómetro D2-
Phaser (Bruker) utilizando radiación
Kα de Cu (1,5418 Å). Los espectros
de reflactancia difusa se obtuvieron
en Cary-5E Varian; la función de Ku-
belka-muk se utilizó para estimar el
valor de brecha de banda o bandgap.
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